一、本文采用有無離子源輔助電子束蒸發(fā)兩種工藝制備了Ta2O5薄膜，研究了制備工藝對Ta2O5薄膜性能的影響。

二、使用PMMA電子束抗蝕劑，在該系統(tǒng)上獲得0.1微米的線分辨率。

三、為滿足納米級電子束曝光系統(tǒng)的要求，設計了高速圖形發(fā)生器。

四、在圓形硅基底上采用電子束加熱蒸發(fā)制備了二氧化鈦薄膜。

五、研究了角錐喇叭天線的電子束焊接工藝,并與傳統(tǒng)的氬弧焊成形工藝進行了對比.

六、評述了板CRT的基本問題，指出矩陣式驅動和電子束偏轉系統(tǒng)結合的板CRT可能是很有前途的一種方案。

七、因此目前電子束光刻設備主要的用途是用于刻制掩膜板，許多人甚至認為電子束光刻技術的產出量永遠也無法滿足芯片量產的需求。

八、與所有降B調，電子束，C和低音譜號文書，爵士隊用播放沿系列是最終的學習所有爵士樂手工具。

九、利用柱坐標系下的二維PIC程序對金屬靶背向超熱電子束的運動特性進行了模擬，研究了超熱電子的回流機制。

十、高能量電子束也能用來激發(fā)高能量X射線峰的發(fā)射.

十一、結果：電子束CT使用電子束的磁偏轉代替球管機械運動，既加快掃描速度，又減少機械磨損，有很高的時間分辨率。

十二、空心鋁球的焊接更有特殊性，采用真空電子束焊接比激光焊接更為有利。

十三、研究了電子束曝光機圖形數據格式轉換軟件的分割、壓縮算法，針對傳統(tǒng)的圖形數據分割、壓縮算法存在的主要缺點，提出了新的分割算法和壓縮算法，并對壓縮算法進行了詳細的論述和研究。

十四、為實現(xiàn)電子束曝光機掃描場的線性畸變校正，設計了圖形發(fā)生器的成像系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括硬件和軟件兩部分。

十五、Ta2O5薄膜采用傳統(tǒng)的電子束蒸發(fā)方法沉積在BK7基底上。【高考升學網】

十六、使用方法如電子束熔煉或選擇性激光燒結.

十七、通過對電子束擴散函數與顯影對比度的分析，本文認為電子束曝光的分辨極限與顯影液在納米尺度下的擴散限制有關。

十八、透射電子顯微鏡發(fā)出電子束直接打向細胞樣本，得到細胞的精細結構。

十九、用AFM表征了有離子源電子束蒸發(fā)制備薄膜的表面形貌、粗糙度、相位信息，分析認為此工藝下Ta2O5薄膜為島狀模式生長，不同厚度薄膜表面粗糙度變化不大。

二十、電子束焊接是通過陰極加熱發(fā)射的電子，經高壓電場加速后，獲得極高的動能，加速后的電子經過磁透鏡聚焦而形成能量密度極高的電子束來轟擊工件表面。

二十一、本文介紹了新型電子束熔煉爐技術參數、結構、性能及其特點。

二十二、然后我放了兩個感光片,我可以檢測到光束所以,當我觀察時,電子束以每秒80次的速度來來回回了。

二十三、結果表明，結果表明，熔煉工藝參數如熔化速度、熔煉功率、電子束掃描方式和掃描頻率都會對熔池表面溫度產生劇烈影響。

二十四、此外，用此方法提取的電子散射參數被成功地用于相同實驗條件下的電子束臨效應校正。

二十五、比如一些3D印刷機在印刷臺鋪撒金屬粉末之后，采用露光模板以外的激光或電子束方式進行熱凝處理來產生樣模。

二十六、殘留表面電位會在后續(xù)觀測中引入誤差，影響臨界尺度掃描電鏡法的測量精度，并在電子束光刻中造成位置誤差。

二十七、這個獨立的的氮化硅結構從力學上看也很牢固，并且能禁受住TEM中300keV電子束的照射。

二十八、論述了光柵掃描的原理及特點；介紹了圖形發(fā)生器的作用及電子束在控制系統(tǒng)作用下在基片上描繪圖形的過程。

二十九、為了實現(xiàn)高清晰度顯示，大量采用非旋轉對稱的系統(tǒng)以減小電子束上屏的束點尺寸。

三十、衍射光學元件有很多制作方法，比較成熟的有二元光學元件加工方法和激光或電子束直寫技術加工方法。

三十一、并在分析造成真空度不穩(wěn)定原因的基礎上，闡述了的電子束爐真空系統(tǒng)的控制方案及其算法。

三十二、方法：用電子束蒸發(fā)和射頻磁控濺射兩種技術制備了天然HA薄膜。

三十三、彩色顯像管的超薄型化涉及到兩方面的問題，其一是擴大電子束的偏轉角，其二是減小玻殼的長度，尤其是錐體玻殼的長度。

三十四、舍溫解釋說，當頻率合適的光線附到一個量子井上時，它會創(chuàng)造出一對叫做“電子空穴對”的電子束縛洞，而光線會被其所吸收。

三十五、這幅顯微照片是通過掃描穿過樣品的電子束而獲得的，同時檢測器對從樣品表面反彈的電子進行追蹤，這些電子顯示了標本的外形。

三十六、本文的模擬結果不僅能為高能電子束光刻工藝優(yōu)化曝光條件、降低鄰效應提供理論指導，而且能為進一步的鄰效應的校正提供更精確的數據。

三十七、相應的電流就用來使陰極射線管里的電子束偏轉.

三十八、通過將石墨烯薄片放置在一個氮化硅薄膜上，并用電子束在石墨烯上打出納米尺度的孔，他們制作出了一系列從5到25nm直徑的孔。

三十九、實驗結果和理論分析表明，動態(tài)變化的電子束蒸發(fā)工藝是制備優(yōu)質ITO透明導電膜的有效方法。

四十、介紹了用真空電子束焊接大型客車后橋殼半軸的工藝方法，并就焊接過程中存在的主要問題進行了分析。

四十一、高功率雷射束與高能電子束相碰時，會產生一束極窄的伽瑪射線。

四十二、電子束蒸發(fā)臺是制作半導體、光電器件的必要設備，對器件的性能有很大的影響。

四十三、我之前提及過，我們上次,講到應用經典力學如何描述,一個原子以及原子如何把質子,和電子束縛在一起，今天我們要。

四十四、本工作研究了BGO晶體在快電子束作用下材料中出現(xiàn)的輻射損傷。

四十五、本課題主要研究基于DSP的電子束曝光機圖形發(fā)生器控制器。

四十五、高考升學網盡量原創(chuàng)和收集優(yōu)質句子,使您在造句的同時,更能學到有用的知識.

四十六、測量發(fā)現(xiàn)當電子束流增大到一定程度時，測出的彈性電子峰嚴重畸變，電子倍增器工作在飽和狀態(tài)。

四十七、論文介紹了國內外電子束曝光技術的發(fā)展和圖形發(fā)生器的工作原理。

四十八、利用電子束光刻技術制作了基于鈦酸鈉納米線的納米器件。

四十九、本論文利用電子束蒸發(fā)方法制備氧化鎢、氧化鎳薄膜的基礎上，研究了熱處理工藝對于薄膜電致變色性能的影響。

五十、最后利用電子束蒸發(fā)技術制備了薄膜樣品，樣品的光譜性能完全能夠滿足使用要求。

五十一、用電子束刻蝕法在晶片上鍍上納米級鋁層形成了電感器。

五十二、介紹了電子束焊機中的具體高電壓技術問題。

五十三、聚光鏡系統(tǒng)可將電子束聚集在樣品上,并且物鏡可對樣品進行初級放大.

五十四、采用電阻蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)方法，制備了9種紅外薄膜材料的單層膜，包括氟化物、硫化物和硒化物。

五十五、本文用電子束蒸發(fā)的方法在K9玻璃上制備了AZO薄膜。

五十六、本文介紹一種新型的光學薄膜制備用多離子束電子束系統(tǒng)。

五十七、采用電子束蒸發(fā)沉積技術制備了板偏振膜。

五十八、用一個磁場使電子束走曲線路徑能夠屏蔽熱陰極.

五十九、指電子束蒸發(fā)器或曝光系統(tǒng)。

六十、第一章簡單介紹了電子束曝光技術的背景知識，包括國內外電子束曝光技術的發(fā)展過程和趨勢、電子束曝光機以及圖形發(fā)生器的研制與應用。

六十一、論文分析了國內外電子束曝光技術的發(fā)展和圖形發(fā)生器的工作原理。

六十二、同時還介紹了電子束光刻技術及其改進。

六十三、本文介紹了低能電子在固體中的彈性散射和非彈性散射，及其在電子束顯微分析中的一些應用。

六十四、盡管如此，目前仍有許多公司和研究機構在繼續(xù)研究和開發(fā)電子束光刻設備。

六十五、采用電子束直寫、步進制模、壓印翻制的壓印模具生產工藝，其模具的制造是目前面臨的難點。

六十六、納米光刻技術在微電子制作中起著關鍵作用，而電子束光刻在納米光刻技術制作中是最好的方法之一。

六十七、對電子束物理氣相沉積高硅硅鋼片進行了高溫快速退火處理.

六十八、電子束流的“馴服者”機敏,健談,自信,周身散發(fā)著股向上的熱力。

六十九、電子束流的“馴服者”從事大科學裝置技術研究的冷用斌,10多年來,一直將他的青春與夢想綻放在“鸚鵡螺”里。